蓋世汽車訊 特斯拉公司于2026年3月14日通過首席執(zhí)行官埃隆·馬斯克在社交平臺X發(fā)布的消息確認，“特拉法布（Terafab）項目”將于7日內啟動，即計劃于2026年3月21日正式開啟。該項目旨在建設一座垂直整合的半導體晶圓廠，集成邏輯處理、存儲器與先進封裝能力，目標采用2納米制程工藝，為特斯拉自研AI芯片提供制造支撐。

據(jù)特斯拉在2026年1月28日財報電話會議中披露，公司判斷未來三至四年內將面臨AI芯片供應約束，因此必須自主建設晶圓廠以保障供應鏈安全。項目選址尚未正式公布，但多方觀察顯示，其建設地點極可能位于得克薩斯州奧斯汀超級工廠北園區(qū)。此前數(shù)月，該區(qū)域已出現(xiàn)大規(guī)模場地平整作業(yè)，規(guī)模接近原有工廠體量。

該項目規(guī)劃年產能為1000億至2000億顆AI及存儲芯片，對應每月約10萬片晶圓投片量，總投資額預計達200億美元。首批量產芯片為AI5，設計目標為較前代AI4提升40至50倍計算性能、9倍內存容量，計劃于2027年投入量產。AI5將用于全自動駕駛（FSD）系統(tǒng)、人形機器人Optimus、Cybercab無人出租車及數(shù)據(jù)中心等場景。特斯拉同時已啟動AI6芯片的初期研發(fā)，聚焦Optimus與數(shù)據(jù)中心應用；后續(xù)AI7至AI9系列亦列入長期開發(fā)路線圖。

圖片來源：特斯拉

馬斯克多次強調，構建自有晶圓制造能力是實現(xiàn)完全垂直整合戰(zhàn)略的關鍵環(huán)節(jié)。他在2025年年度股東大會上指出，即便供應商產能達到最優(yōu)水平，仍無法滿足特斯拉對AI芯片的長期需求，因此建設大型晶圓廠“勢在必行”。公司長期目標為實現(xiàn)年產能1000億至2000億顆芯片，若達成，該設施有望成為全球單體規(guī)模最大的半導體制造廠之一。

不過，行業(yè)分析普遍指出，特斯拉在半導體制造領域尚無任何實際經驗。相較此前自建電池產線的嘗試——2020年電池日提出的4680電池目標，包括2022年前建成100GWh產能、降低56%成本并推出2.5萬美元車型——截至2025年初，其4680電池年產能僅約20GWh，且核心工藝進展滯后，供應鏈亦出現(xiàn)嚴重收縮。而半導體制造的技術復雜度遠超電池生產，涉及光刻、蝕刻、化學機械拋光、良率管理、極紫外（EUV）設備操作等數(shù)十類高度專業(yè)化工程領域，需數(shù)十年積累的工藝知識與數(shù)千名資深工程師團隊支撐。

特斯拉曾組建芯片設計團隊，主導開發(fā)了Autopilot HW3/HW4及Dojo訓練芯片，但該團隊近年大幅縮減：芯片架構師吉姆·凱勒于2018年離職；Dojo項目負責人甘尼什·文卡塔拉曼于2023年底離任；2025年8月，馬斯克終止Dojo項目，首席芯片架構師彼得·巴農亦隨之離開，約20名核心成員轉投新創(chuàng)公司DensityAI。目前特斯拉正公開招募半導體制造相關崗位，但尚未披露具體人才引進進展。

馬斯克此前關于潔凈室環(huán)境的表述引發(fā)業(yè)內質疑。他于2026年1月稱現(xiàn)有半導體行業(yè)“潔凈室設計錯誤”，并提出可在2納米晶圓廠內“吃漢堡、抽雪茄”。半導體專家指出，當前先進制程晶圓廠需維持ISO Class 1–3級潔凈標準，人體呼吸即可釋放數(shù)百萬顆粒物，雪茄煙霧更會引入大量有機污染物，嚴重損害EUV光學系統(tǒng)及制程化學穩(wěn)定性。英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛于2025年11月在臺積電活動上明確表示：“建設先進芯片制造能力極其困難”，并稱“復制臺積電的能力幾乎不可能”。

盡管存在顯著技術與組織挑戰(zhàn)，特斯拉推進特拉法布項目仍被視為其向AI與硬件全棧整合戰(zhàn)略邁出的關鍵一步。項目啟動本身不意味著工廠立即投產，但標志著公司正實質性推動從軟件、芯片設計向晶圓制造的縱深拓展。

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