蓋世汽車訊 3月5日，英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）推出下一代碳化硅（SiC）MOSFET 溝槽技術(shù)，開啟電力系統(tǒng)和能源轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，新型英飛凌CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V第2代將MOSFET的關(guān)鍵性能指標(biāo)（例如存儲能量和電荷）提高了20%，且不影響質(zhì)量和可靠性水平，從而提高了整體能源效率，并進(jìn)一步推動脫碳進(jìn)程。
????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????
來源：第一電動網(wǎng)
作者：蓋世汽車
本文地址：http://m.cbbreul.com/news/shichang/221689
以上內(nèi)容轉(zhuǎn)載自蓋世汽車，目的在于傳播更多信息，如有侵僅請聯(lián)系admin#d1ev.com(#替換成@)刪除，轉(zhuǎn)載內(nèi)容并不代表第一電動網(wǎng)（m.cbbreul.com）立場。
文中圖片源自互聯(lián)網(wǎng)，如有侵權(quán)請聯(lián)系admin#d1ev.com（#替換成@）刪除。
先估價再買車，買的放心開的安心
您的詢價信息
已經(jīng)成功提交我們稍后會聯(lián)系您進(jìn)行報價!
京公網(wǎng)安備
11010502033163號