蓋世汽車訊 據(jù)外媒報(bào)道，法國(guó)CEA-Leti（原子能信息實(shí)驗(yàn)室）宣布，成功研發(fā)了一種結(jié)合混合鍵合和高密度硅通孔（TSV）的工藝，可以將人工智能（AI）功能添加到CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）圖像傳感器中。通過(guò)CEA-Leti的AI集成技術(shù)，新一代CMOS圖像傳感器可以充分利用所有圖像數(shù)據(jù)來(lái)感知場(chǎng)景、理解情況并進(jìn)行干預(yù)。

AI集成至CMOS圖像傳感器（圖片來(lái)源：CEA-Leti）

隨著智能手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、汽車和醫(yī)療設(shè)備等設(shè)備對(duì)高性能成像技術(shù)的需求不斷增長(zhǎng)，人們對(duì)智能傳感器的需求也在迅速上升。此類需求涵蓋提升圖像質(zhì)量及通過(guò)嵌入式AI來(lái)增強(qiáng)功能，給制造商帶來(lái)了在保持設(shè)備尺寸不變的前提下提高傳感器性能的挑戰(zhàn)。

該研究的第一作者Renan Bouis表示：“通過(guò)將多個(gè)芯片堆疊在一起形成三層成像儀等3D結(jié)構(gòu)，傳感器設(shè)計(jì)領(lǐng)域引發(fā)了范式轉(zhuǎn)變。實(shí)現(xiàn)不同層級(jí)的通信需要先進(jìn)的互聯(lián)技術(shù)，而混合鍵合技術(shù)在微米級(jí)甚至亞微米級(jí)范圍內(nèi)都可實(shí)現(xiàn)超精細(xì)封裝，因而可滿足此種要求。高密度硅通孔（HD TSV）具有與中間層類似的密度，能夠通過(guò)中間層傳輸信號(hào)。這兩種技術(shù)都有助于減少導(dǎo)線長(zhǎng)度，這也是提升3D堆疊結(jié)構(gòu)性能的關(guān)鍵因素?！?/p>

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