3月18日，三星電子存儲器開發(fā)副總裁???在GTC2026上透露，三星將對HBM內存技術進行升級。在HBM5和HBM5E世代，三星計劃分別升級HBM內存的基礎（邏輯）裸片和DRAM裸片的工藝，其中基礎裸片將從4nm工藝升級到2nm工藝，DRAM裸片則從1cnm工藝升級到1dnm工藝。與此同時，HBM4E的制程將與HBM4保持一致，均為4nm和1cnm工藝。

三星電子將HBM4視為公司HBM內存業(yè)務的重中之重，目標是占據(jù)超過一半的市場份額。為了實現(xiàn)這一目標，三星電子計劃加速HBM技術的開發(fā)，以實現(xiàn)與英偉達同步的每年迭代更新速度。這一戰(zhàn)略將有助于三星在高性能內存市場中保持領先地位，并滿足日益增長的高性能計算需求。