3月5日，Wolfspeed推出了業(yè)界首款商用10kV SiC功率MOSFET，這一創(chuàng)新技術(shù)為高壓電力電子系統(tǒng)設(shè)計提供了更大的架構(gòu)自由度，并為AI數(shù)據(jù)中心電網(wǎng)等關(guān)鍵應(yīng)用提供了支撐。該產(chǎn)品在20V柵極偏置電壓下?lián)碛?58000年的壽命，并能在體二極管使用情況下保持可靠性能，這對于中壓UPS系統(tǒng)、風(fēng)力發(fā)電和固態(tài)變壓器等應(yīng)用至關(guān)重要。

Wolfspeed的10kV SiC功率MOSFET通過減少系統(tǒng)架構(gòu)單元和簡化結(jié)構(gòu)，如將三電平逆變器簡化為兩電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了成本降低30%，開關(guān)頻率從600Hz提升到10000Hz，功率密度提升300%。同時，該產(chǎn)品還簡化了控制和柵極驅(qū)動電路，并減小了磁性單元體積，與傳統(tǒng)的IGBT硅基系統(tǒng)相比具有明顯優(yōu)勢，轉(zhuǎn)換效率達到99%。此外，該方案的上升時間低于10納秒，能夠替代傳統(tǒng)的電極式火花隙開關(guān)，避免了溫度電弧隨時間退化的問題，并提升了脈沖功率傳輸?shù)臅r間精度，適用于地?zé)岚l(fā)電、AI數(shù)據(jù)中心電網(wǎng)、半導(dǎo)體等離子刻蝕以及可持續(xù)肥料生產(chǎn)等領(lǐng)域。